可降低正向导通压降的肖特基二极管

摘要

本实用新型涉及一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，主要是在一N+型掺杂层上形成有一N-型掺杂漂移层，该N-型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；另外，N-型掺杂漂移层表面进一步形成一氧化层及一金属层，该金属层与N-型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒；其中，该N+型掺杂层在肖特基势垒下方形成有一向上延伸的N++型重掺杂层，令肖特基势垒下方的N-型掺杂漂移层的厚度变小，藉降低肖特基二极管的正向导通压降。

主权项

一种可降低正向导通压降的肖特基二极管，其特征在于，包括：一N+型掺杂层；一N++型重掺杂层，其局部地形成于前述N+型掺杂层上，该N++型重掺杂层的离子浓度大于N+型掺杂层；一N‑型掺杂漂移层，其形成在前述N+型掺杂层及N++型重掺杂层上，该N‑型掺杂漂移层具有一表面，并形成一凹入表面的护环，护环内为一P型掺杂区；一氧化层，其形成在前述N‑型掺杂漂移层上；一金属层，其形成于前述氧化层及N‑型掺杂漂移层上，该金属层与N‑型掺杂漂移层、P型掺杂区接触的部位构成一肖特基势垒。