压敏传感器的制备方法及在硅片上形成空腔结构的方法

摘要

本发明公开了一种压敏传感器的制作方法，包括如下步骤：1)刻蚀硅片形成空腔；2)在所述硅片表面形成牺牲层；3)平坦化处理所述牺牲层表面；4)采用双大马士革工艺，在所述牺牲层上形成支撑柱通孔和传感薄膜填充槽；5)在所述牺牲层上淀积压敏传感薄膜；6)CMP研磨所述压敏传感薄膜至牺牲层；7)湿法腐蚀去除所述牺牲层；8)在所述硅片表面淀积保护层，以密封空腔。本发明的制作方法与传统硅表面加工CMOS工艺的兼容性较好。本发明还公开了一种硅片中形成密闭空腔的方法。

主权项

一种压敏传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)刻蚀硅片形成空腔；2)在所述硅片表面淀积形成牺牲层，所述牺牲层填充所述空腔；3)平坦化处理所述牺牲层表面，且平坦化后所述硅片表面上的牺牲层为一预定厚度；4)采用双大马士革工艺在所述牺牲层中制备出支撑柱通孔和传感薄膜填充槽，所述支撑柱通孔为两个以上设置在空腔四围牺牲层内的通孔；5)在所述牺牲层上淀积压敏传感薄膜，填充所述支撑柱通孔和所述传感薄膜填充槽；6)采用CMP工艺研磨所述压敏传感薄膜至所述牺牲层；7)湿法腐蚀去除所述牺牲层；8)在所述硅片表面淀积保护层，以密封所述空腔。