一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法

摘要

本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；2)在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。该方法可通过对器件衬底的研磨、抛光和腐蚀以实现器件中光场的最优化分布，同时设计合理的上电极层的厚度并适当增加量子阱层数可使多量子阱处于光场较强的区域，从而提高器件的性能，优化其响应率，对THz实时成像的研究和实现具有重要的意义。

主权项

1.一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，所述一维光栅太赫兹量子阱光电探测器包括器件及器件表面的光栅，其特征在于，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ_⊥；2)根据所述波长λ_⊥优化器件结构：在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度L为所述波长λ_⊥的整数倍；其中，步骤1)中采用计算波长λ_⊥，其中k₀为入射波在真空中的波矢，ε为GaAs的介电函数，θ为一级衍射模衍射角由光栅周期d决定。