发明名称 制作电容式麦克风元件的振膜的方法
摘要 提供一基底,并于该基底的一第一表面形成一介电层。接着于该介电层的表面形成多个硅间隙物。随后于所述硅间隙物与该介电层的表面形成一振膜层。之后于该振膜层上形成一平坦层,并蚀刻该基底的一第二表面,以形成多个对应于位于该介电层的表面的该振膜层的开口。最后去除所述开口暴露出的该介电层,再去除该平坦层。
申请公布号 CN101064969B 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN200610077735.X 申请日期 2006.04.24
申请人 探微科技股份有限公司 发明人 何宪龙
分类号 H04R19/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 主分类号 H04R19/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 一种制作电容式麦克风元件的振膜的方法,包括:提供基底,并于该基底的第一表面形成介电层;于该介电层的表面形成多个硅间隙物;于所述硅间隙物与该介电层的表面形成振膜层;于该振膜层上形成平坦层,接着蚀刻该基底的第二表面,以形成多个对应于位于该介电层的表面的该振膜层的开口;去除所述开口暴露出的该介电层;以及去除该平坦层,其中形成所述硅间隙物的步骤包括:于该介电层的表面沉积硅层;以及蚀刻部分该硅层并停止蚀刻于该介电层,以形成所述硅间隙物,其中各该硅间隙物具有垂直侧壁。
地址 中国台湾桃园县