发明名称 |
曝光方法、掩模版和掩模版设计方法 |
摘要 |
一种曝光方法,包括:提供基底,所述基底的表面具有膜层,所述膜层具有至少一个分离的同时曝光区域,每一所述同时曝光区域中包含分离的检测区和至少一个光学修正区;执行预曝光操作,获得任一所述同时曝光区域中曝光焦距分布;计算所述检测区的曝光焦距与各光学修正区的曝光焦距平均值之间的差值;调整所述基底使其偏离水平位置,使对应所述光学修正区的曝光焦距平均值的光学修正区与检测区间的高度差等于所述差值;对调整后的所述基底执行曝光操作。可在利用现有掩模版的前提下减小曝光偏差。本发明还提供了一种掩模版,和一种掩模版设计方法,利用所述掩模版执行曝光操作时,可减小曝光偏差。 |
申请公布号 |
CN101644888B |
申请公布日期 |
2011.11.30 |
申请号 |
CN200810117725.3 |
申请日期 |
2008.08.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
黄旭鑫 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种曝光方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底的表面具有膜层,所述膜层具有至少一个同时曝光区域,各所述同时曝光区域分离,每一所述同时曝光区域中包含检测区和至少一个光学修正区,所述检测区与各所述光学修正区之间分离,各所述光学修正区之间分离;执行预曝光操作,获得任一所述同时曝光区域中曝光焦距分布;计算所述检测区的曝光焦距fT与各光学修正区的曝光焦距平均值fA之间的差值(fT‑fA);调整所述基底使其偏离水平位置,使对应所述光学修正区的曝光焦距平均值fA的光学修正区与对应所述曝光焦距fT的检测区间的高度差H等于‑(fT‑fA);对调整后的所述基底执行曝光操作。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 |