一种生长薄板硅晶体的方法

摘要

本发明公开了一种生长薄板硅晶体的方法，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。由于液态衬底物质对硅熔液/硅晶体的支撑作用，容易形成表面平整的薄板硅。本发明的生长薄板硅晶体的方法中，不采用固体模具或提拉线即可形成硅熔液薄层，生长过程中不存在破坏晶体结构的物质，从而生成的薄板硅结晶颗粒大，生成的薄板硅面积大，产量高；在有单晶硅片引导的前提下，可生产薄板单晶硅。

主权项

一种生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。