发明名称 |
Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die1, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.</p> |
申请公布号 |
DE102010020789(A1) |
申请公布日期 |
2011.11.24 |
申请号 |
DE20101020789 |
申请日期 |
2010.05.18 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
BERGBAUER, WERNER;DRECHSEL, PHILIPP;HOEPPEL, LUTZ, DR.;KOELPER, CHRISTOPHER;STRASBURG, MARTIN, DR.;RODE, PATRICK |
分类号 |
H01L33/22;B82B1/00;B82B3/00;H01L31/036;H01L31/18;H01L33/16 |
主分类号 |
H01L33/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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