发明名称 |
金属有机物化学沉积设备的反应室 |
摘要 |
本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室,包括:反应室腔体;与腔体连通的反应气及载气进气法兰;设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托;与腔体连通的尾气管路;对衬托进行加热的加热器;和使得衬托旋转的旋转装置,其中所述反应室还包括调距装置,所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离,且所述调距装置包括:设置在上端法兰和下端法兰之间的波纹管,引导波纹管的伸缩移动的支撑杆,以及使得波纹管伸缩移动的调距丝杆。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节,从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性,改善晶体质量和半导体外延片均匀性。 |
申请公布号 |
CN101748377B |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201010033963.3 |
申请日期 |
2010.01.07 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;殷海波;张露;李晋闽 |
分类号 |
C23C16/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王新华 |
主权项 |
一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室,包括:反应室腔体;与腔体连通的反应气及载气进气法兰;设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托;与腔体连通的尾气管路;对衬托进行加热的加热器;和使得衬托旋转的旋转装置,其特征在于:所述反应室还包括调距装置,所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离,所述调距装置包括:设置在上端法兰和下端法兰之间的波纹管,引导波纹管的伸缩移动的支撑杆,以及使得波纹管伸缩移动的调距丝杆。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |