发明名称 |
确定测量物体的位置和/或位置变化的传感器结构及方法 |
摘要 |
一种相对于传感器确定测量物体位置和/或位置变化的传感器配置,其中磁体(7)被分配给测量物体,该配置相对操作可靠的传感器来说制作成本较低,这样,所述传感器(1)具有第一导体(2)和与第一导体(2)并排配置的第二导体(3),并且在第一导体和第二导体(2、3)的影响范围中配置软磁性膜(5、6),所述软磁性膜的磁导率在磁场影响下产生变化并且影响第一导体和第二导体(2、3)之间的电磁耦合。本发明还涉及相关的方法。 |
申请公布号 |
CN102257362A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN200980151573.1 |
申请日期 |
2009.11.17 |
申请人 |
微-埃普西龙测量技术有限两合公司 |
发明人 |
V·蒙德尼科夫 |
分类号 |
G01D5/20(2006.01)I |
主分类号 |
G01D5/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张欣 |
主权项 |
一种相对于传感器确定测量物体的位置和/或位置变化的传感器结构,磁体(7)被分配给所述测量物体,其特征在于,所述传感器(1)具有第一导体(2)和与第一导体(2)纵向配置的第二导体(3),并且在第一导体和第二导体(2、3)的影响范围内配置软磁性膜(5、6),所述软磁性膜的磁导率在磁场的影响下产生变化,并且影响在第一导体和第二导体(2、3)之间的电磁耦合。 |
地址 |
德国奥滕伯格 |