| 发明名称 | 一种低电容的晶体管功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500-11500埃。本发明具有低电容、驱动功率较低、栅区不容易损坏、使用寿命长。 | ||
| 申请公布号 | CN102254940A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110224497.1 | 申请日期 | 2011.08.06 |
| 申请人 | 深圳市稳先微电子有限公司 | 发明人 | 王新 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500‑11500埃。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室 | ||