发明名称 |
一种免引线键合IGBT模块 |
摘要 |
本发明公开了一种免引线键合IGBT模块,包括基板、焊接在基板上的衬板、焊接在衬板上的功率半导体芯片和集电极端子,还包括免引线电极引出板;所述免引线电极引出板为复合母排或多层印制电路板,设置在功率半导体芯片上面,用于实现功率半导体芯片的电极互连及引出,并为模块提供电流及散热通路;所述功率半导体芯片电极通过免引线电极引出板上的连接端子互连,连接介质为银。本发明免除了引线键合,降低了寄生电感,提高了可靠性;减少了封装材料与零部件,使模块结构更紧凑;实现了双面散热,降低热阻;简化了封装工艺,降低了模块成本。 |
申请公布号 |
CN102254886A |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN201110222484.0 |
申请日期 |
2011.08.04 |
申请人 |
株洲南车时代电气股份有限公司 |
发明人 |
刘国友;覃荣震;黄建伟 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
卢宏 |
主权项 |
一种免引线键合IGBT模块,包括基板、焊接在基板上的衬板、焊接在衬板上的功率半导体芯片和集电极端子,其特征在于,还包括免引线电极引出板;所述衬板的上下表面均为单一金属化面;所述免引线电极引出板为复合母排或多层印制电路板,设置在功率半导体芯片上面;所述功率半导体芯片包括IGBT芯片和FRD芯片,IGBT芯片背面的集电极及FRD芯片背面的阴极通过衬板正面的单一金属化面实现互连;所述集电极端子焊接在衬板正面的单一金属化面上,将IGBT芯片背面的集电极及FRD芯片背面的阴极互连并引出至模块外部。 |
地址 |
412001 湖南省株洲市石峰区时代路 |