| 发明名称 | 在衬底上沉积微晶硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在等离子体腔体系中在衬底上沉积微晶硅的方法，其包括下列步骤：该等离子体腔体系在启动等离子体前含至少一种反应性的含硅气体和氢或者仅含氢，启动等离子体，在等离子体启动后向腔体系中连续地仅供入反应性含硅气体或者在等离子体启动后向腔体系中连续供入至少一种含反应性的含硅气体和氢的混合物，其中将该腔的供料中的反应性的含硅气体的浓度调节为大于0.5%，等离子体功率调节为0.1-2.5W/cm2电极面积，沉积速率选为大于0.5nm/s，并在衬底上沉积厚度小于1000nm的微晶层。 | ||
| 申请公布号 | CN102257630A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200980151014.0 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 于利奇研究中心有限公司 | 发明人 | A.戈迪恩;T.基尔珀;B.雷赫;S.席科 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 在等离子体腔体系中在衬底上沉积微晶硅的方法，其包括下列步骤：‑ 该等离子体腔体系在启动等离子体前含反应性的含硅气体和氢或者仅含氢，‑ 启动该等离子体，‑ 在等离子体启动后向该腔体系中连续地仅供入反应性含硅气体或在等离子体启动后向该腔体系中连续供入含反应性的含硅气体和氢的混合物，其中将该腔的供料中的反应性的含硅气体的浓度调节为大于0.5%，和‑ 等离子体功率调节为0.1‑2.5 W/cm2电极面积，‑ 沉积速率选择为大于0.5 nm/s，并在该衬底上沉积厚度小于1000 纳米的微晶层。 | ||
| 地址 | 德国于利奇 | ||