| 发明名称 | 干法刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种干法刻蚀方法，在完成第一主刻蚀步骤之后，继续进行第一附加刻蚀步骤，所述第一附加刻蚀步骤中采用第一惰性气体，惰性气体难以离化成等离子体，从而在第一附加刻蚀步骤中将基本不发生刻蚀；此外，由于第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率，从而，在第一主刻蚀步骤完成后，采用的第一主刻蚀射频功率也不需要衰减到零瓦，即减小了第一主刻蚀射频功率衰减所引起的不期望的刻蚀，最终，减小了不期望的刻蚀，提高了刻蚀精度。 | ||
| 申请公布号 | CN102254812A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN201110186102.3 | 申请日期 | 2011.07.05 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 汪新学;王伟军 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括：依次进行的第一主刻蚀步骤和第一附加刻蚀步骤，其中，所述第一主刻蚀步骤采用第一主刻蚀射频功率及第一刻蚀气体；所述第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率及第一惰性气体。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||