制造发光二极管封装的方法以及其封装结构

摘要

本发明涉及一种制造发光二极管封装结构的方法以及其发光二极管封装结构。使用同一锯切制程来切穿引线框架的沟槽，藉此来使封装单元单体化，且同时将每个封装单元中的不同引线部分相互分开。如此一来，不必使用额外的包边制程就能避免封装剂溢出问题。

主权项

一种制造发光二极管封装结构的方法，其特征在于所述方法包括：提供具有多个第一沟槽与多个第二沟槽的引线框架，其中所述引线框架包括多个引线框架单元，这些引线框架单元是用所述第一沟槽来界定，且每个引线框架单元具有第一引线部分与第二引线部分，所述第一引线部分与第二引线部分是用所述第二沟槽来界定；提供至少一个发光二极管芯片给每个引线框架单元，其中所述发光二极管芯片以电性方式连接到所述引线框架单元；在多个所述引线框架单元中的所述发光二极管芯片上形成磷层；在所述引线框架上形成封装剂，其中所述封装剂覆盖着所述发光二极管芯片与所述磷层，且填满所述第一沟槽与所述第二沟槽；以及执行锯切制程，以切穿所述第一沟槽，且切穿所述第一沟槽内所填充的所述封装剂，使得多个封装单元单体化，以及同时切穿所述第二沟槽，但在所述第二沟槽内所填充的所述封装剂处停止，使得在每个封装单元内所述第一引线部分与所述第二引线部分分开。