发明名称 一种以页为单位的NAND闪存管理方法
摘要 本发明公开的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在于:对闪存进行扫描判断得到好页坏页,并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换成映射表;所述映射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系;本发明以页为单位来管理,页是块的更小单位,这样可以把坏块中的好页利用起来,提高闪存的实际可使用容量。同时,该管理方法能将部分废弃的闪存和因生产缺陷而无法使用的闪存,重新按照页的方式来使用,回收利用,有很好的发展前景。
申请公布号 CN101339537B 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN200810045808.6 申请日期 2008.08.14
申请人 四川和芯微电子股份有限公司 发明人 孙银明
分类号 G06F12/02(2006.01)I 主分类号 G06F12/02(2006.01)I
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人 方强
主权项 一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在于:对闪存进行扫描判断得到好页坏页,并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换成映射表;所述映射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系;所述将坏页表转换成映射表,是指将单个位的坏页信息转换为物理地址信息,然后剔除坏页对应的物理地址信息,最后得到只保留了好页物理地址信息的映射表。
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