发明名称 |
一种以页为单位的NAND闪存管理方法 |
摘要 |
本发明公开的一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在于:对闪存进行扫描判断得到好页坏页,并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换成映射表;所述映射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系;本发明以页为单位来管理,页是块的更小单位,这样可以把坏块中的好页利用起来,提高闪存的实际可使用容量。同时,该管理方法能将部分废弃的闪存和因生产缺陷而无法使用的闪存,重新按照页的方式来使用,回收利用,有很好的发展前景。 |
申请公布号 |
CN101339537B |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN200810045808.6 |
申请日期 |
2008.08.14 |
申请人 |
四川和芯微电子股份有限公司 |
发明人 |
孙银明 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 |
代理人 |
方强 |
主权项 |
一种以页为单位的NAND闪存管理方法,其特征在于:对闪存进行扫描判断得到好页坏页,并形成坏页表,然后剔除坏页表中的坏页信息,将坏页表转换成映射表;所述映射表是只有好页的逻辑地址到物理地址的一个对应关系;所述将坏页表转换成映射表,是指将单个位的坏页信息转换为物理地址信息,然后剔除坏页对应的物理地址信息,最后得到只保留了好页物理地址信息的映射表。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼409室 |