| 发明名称 | 具有隔离的微结构的微机电器件及其生产方法 | ||
| 摘要 | 一种微机电系统(MEMS)器件(20)，包括具有形成于其中并悬吊于基板(22)之上的可移动的微结构(28)的多晶硅结构层(46)。隔离沟槽(56)延伸穿过结构层(46)使得微结构(28)横向紧固于隔离沟槽(56)。牺牲层(22)形成于基板(22)之上，以及结构层(46)形成于牺牲层(22)之上。隔离沟槽(56)通过蚀刻贯穿多晶硅结构层(46)并且将氮化物(72)(例如富硅氮化物)沉积于沟槽(56)内而形成。微结构(28)然后形成于结构层(46)内，以及电连接(30)形成于隔离沟槽(56)之上。牺牲层(22)随后被去除以形成具有与基板(22)分隔开的隔离的微结构(28)的MEMS器件(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN102257609A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
| 申请号 | CN200980150738.3 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | L·Z·张;L·H·卡尔林;R·B·蒙特兹;朴佑泰 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种用于生产微机械系统MEMS器件的方法，该MEMS器件具有隔离的微结构，该方法包括：提供基板；在所述基板之上形成牺牲层；在所述牺牲层之上形成多晶硅结构层；通过以下方式在所述多晶硅结构层内形成隔离沟槽：蚀刻所述隔离沟槽贯穿所述多晶硅结构层，并且将绝缘材料沉积于所述隔离沟槽内以在所述多晶硅结构层中形成横向紧固于所述隔离沟槽的隔离的微结构；在所述隔离沟槽之上形成电连接；以及选择性地去除所述牺牲层使得所述MEMS器件的所述隔离的微结构与所述基板分隔开。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||