| 发明名称 | 具有增强的线性度的分离偏置射频功率放大器 | ||
| 摘要 | 公开了具有增强的线性度的分离偏置射频功率放大器。射频(RF)功率放大器(PA)可包括第一晶体管和第二晶体管。第一功率单元可与第一晶体管耦合，并且第二功率单元可与第二晶体管耦合。在实施例中，第一晶体管的尺寸可被设定为以第一电流密度工作，而第二晶体管的尺寸可被设定为以第二电流密度工作。 | ||
| 申请公布号 | CN104348424A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410381607.9 | 申请日期 | 2014.08.05 |
| 申请人 | 特里奎恩特半导体公司 | 发明人 | 韩海林;埃齐奥·佩龙 |
| 分类号 | H03F1/32(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 朱胜;陈炜 |
| 主权项 | 一种功率放大器，包括：第一晶体管，尺寸被设定为以第一电流密度工作；第二晶体管，尺寸被设定为以第二电流密度工作，所述第一晶体管与所述第二晶体管耦合；第一功率单元，包括与所述第一晶体管耦合的第三晶体管，所述第一晶体管被配置成对所述第一功率单元进行偏置；以及第二功率单元，包括与所述第二晶体管耦合的多个晶体管，所述第二晶体管被配置成对所述第二功率单元进行偏置。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||