发明名称 |
记忆体元件、资料记录方法及积体电路标签 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI352995 |
申请公布日期 |
2011.11.21 |
申请号 |
TW096118181 |
申请日期 |
2007.05.22 |
申请人 |
國立大學法人山梨大學 日本;日本化學工業股份有限公司 日本 |
发明人 |
原本雄一郎;加藤孝正;广嶋纲纪 |
分类号 |
G11C13/04;G06K19/02;G02F1/13 |
主分类号 |
G11C13/04 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼 |
主权项 |
一种记忆体元件,对包含液晶化合物之导电性液晶半导体材料层点照射雷射光进行选择性加热处理利用该液晶化合物之液晶状态之分子配向记忆资讯者,其特征在于具有:第1电极群,其系由互相平行的复数条线状电极形成者;导电性液晶半导体材料层,其包含如覆盖上述第1电极群地形成,作为拥有长直线共轭构造部分之液晶相具有层列相之液晶化合物;及第2电极群,其系于上述导电性液晶半导体材料层上_向与第1电极群交叉之方向延伸之互相平行的复数条线状透明电极所形成者。 |
地址 |
日本 |