发明名称 防止光阻剥除期间对多孔低K材料伤害之方法
摘要
申请公布号 TWI353019 申请公布日期 2011.11.21
申请号 TW093137791 申请日期 2004.12.07
申请人 泛林股份有限公司 美國 发明人 罗 安那普拉葛达;竹下健二
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种在一多孔低K值介质层中形成一特征部位之方法,包含下列步骤:在一基材之上设置一多孔低K值介质层;在该多孔低K值介质层之上设置图样化的光阻罩幕层;将一特征部位蚀刻到该多孔低K值介质层;在蚀刻了该特征部位之后,在该特征部位之上沈积一保护层;以及剥除该图样化的光阻罩幕层,以便去除该保护层的一部分,其中自该保护层形成的若干保护壁保留在该特征部位中。
地址 美国