外延晶圆之制造方法

主权项

一种外延晶圆之制造方法，系包含：藉由因应于矽晶圆的表面之凹凸而控制对上述晶圆表面的蚀刻液的供给而平滑化上述晶圆表面的平滑化工程，以及在上述平滑化的晶圆表面，藉由外延成长形成矽单结晶所构成之外延层的外延层形成工程之外延晶圆之制造方法，其特征为：上述平滑化工程系接在切片矽单结晶碇而得到薄圆板状的晶圆的切片工程之后进行的，且，使在上述切片工程所得到的单一薄圆板状矽晶圆在水平方向旋转，藉由对上述旋转的晶圆表面供给酸蚀刻液，而使此供给之酸蚀刻液藉由离心力扩散到晶圆表面整体，对上述晶圆表面之酸蚀刻液的供给，系藉由检测手段检测上述晶圆表面的凹凸，将晶圆表面的凹凸记忆于记忆体，因应于上述被记忆的晶圆表面的凹凸而控制供给酸蚀刻液的喷嘴的位置与由喷嘴起算之酸蚀刻液的喷射时间，根据前述控制而进行的。