一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法

摘要

本发明涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法。这种生长GaInP化合物半导体的方法步骤包括：选取Ge衬底置于无残余Ga和In的反应腔室中，然后向反应腔室中通入P2，并加热Ge衬底至600-700℃，使其表面覆盖一层P原子，最后将Ge衬底降温至生长温度，同时向反应腔室中通入Ga和In，生长GaInP化合物半导体。本发明的有益效果是：在高温下通入P2不存在原子堆积现象，不改变Ge衬底表面的台阶分布，有利于抑制反相筹等缺陷的产生。另一方面控制生长过程在较低温度下进行，避免原子在异质界面间的互扩散，得到高质量的Ge/GaInP异质结结构半导体。

主权项

一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)选取Ge衬底置于反应腔室中，保持反应腔室中残余的Ga和In的压力低于2×10‑8Torr；(2)向反应腔室通入P2，同时加热Ge衬底至600‑700℃，在所述Ge衬底表面覆盖一层P原子层；(3)将Ge衬底降温至生长温度，同时向反应腔室通入材料Ga和In，生长GaInP化合物半导体。