| 发明名称 | 用于将半导体衬底键合到金属衬底的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种将半导体衬底键合到金属衬底的方法。在一些实施例中该方法包括在半导体衬底中形成半导体器件，该半导体器件包括第一表面。该方法还包括获得金属衬底。将该金属衬底键合到该半导体器件的第一表面，其中该金属衬底的至少一部分形成该半导体器件的电气端子。 | ||
| 申请公布号 | CN101432846B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200780011770.4 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 费查尔德半导体有限公司 | 发明人 | 王琦;H·耶尔马兹;励敏华;C-L·吴 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈炜 |
| 主权项 | 一种将半导体衬底键合到金属衬底的方法，包括：在半导体衬底中形成半导体器件，所述半导体器件包括第一表面；获得金属衬底，其中所述金属衬底与所述半导体衬底热匹配；在所述金属衬底上形成中间层，其中所述中间层包括硅膜；在所述金属衬底上形成中间层后将所述金属衬底和所述中间层键合到所述半导体器件的所述第一表面，其中所述金属衬底的至少一部分形成所述半导体器件的电气端子；以及切割所述半导体衬底和所述金属衬底以形成单个半导体芯片。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||