发明名称 薄膜光电转换元件和薄膜光电转换元件的制造方法
摘要 本发明提供对从可见区域至红外区域的宽频带的光进行光电转换的薄膜光电转换元件。通过金属纳米结构,相对于宽频带的光产生光致电场增强的等离子体激元共振现象,而产生高灵敏度的光诱导电流,其中所述金属纳米结构是对叠层有由第1金属构成的第1金属薄膜层和在第1金属薄膜层上的一部分上重叠的由第2金属构成的第2金属薄膜层的基板进行退火处理,而在基板上形成有周期结构和无规结构的结构,所述周期结构是,在基板的表面上,多个第1凸部在沿着基板的平面方向上以从入射光的1/10波长至入射光的波长以下的周期而连续的周期结构,所述无规结构是,在所述周期结构的区域内或者在与所述周期结构的区域相邻的位置,形成于基板上的随机位置的多个第2凸部中的任意一对第2凸部的间隔或者第2凸部与第1凸部的间隔小于100nm的无规结构。
申请公布号 CN102246315A 申请公布日期 2011.11.16
申请号 CN200880132309.9 申请日期 2008.12.10
申请人 株式会社SI-NANO 发明人 J.布里塞诺
分类号 H01L31/04(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 庞立志;高旭轶
主权项 薄膜光电转换元件,其特征在于:具备由形成于基板上的多个金属原子簇或金属分形结构物构成的金属纳米结构,所述金属纳米结构是在基板上形成有周期结构和无规结构的结构,所述周期结构是,多个第1凸部在沿着基板的平面方向上以从入射光的1/10波长至入射光的波长以下的周期而连续的周期结构,所述无规结构是,在所述周期结构的区域内或者在与所述周期结构的区域相邻的位置,形成于基板上的随机位置的多个第2凸部中的任意一对第2凸部的间隔或者第2凸部与第1凸部的间隔小于100nm的无规结构。
地址 日本东京都
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