金属有机化合物的化学气相淀积设备

摘要

金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，并且包括：用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座；和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部的保持表面的该基座是可旋转的，并且沿着反应性气体的流向的该气流道的高度从一个位置到一个位置保持定值，并且从该位置到下游侧是单调递减的。因此能在使得所形成的薄膜具有均匀厚度的同时提高薄膜形成效率。

主权项

用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，包括：用于加热所述衬底并且具有用于保持所述衬底的保持表面的加热元件；和用于引入所述反应性气体到所述衬底的气流道，其中具有被保持面对着所述气流道的内部的保持表面的所述加热元件是可旋转的，所述气流道的高度在从用于将所述衬底保持在所述保持表面的位置的上游侧端部到所述保持表面的任意的位置保持定值，所述任意的位置位于在所述上游侧端部的下游侧，并且从所述任意的位置到下游侧是单调递减的，从保持所述衬底的位置的上游侧端部到保持所述衬底的位置的下游侧端部，沿着所述反应性气体的流向的所述气流道在宽度方向上保持相同的形状，所述气流道至少被分成第一、第二和第三气流道(11a‑11c)，它们位于保持表面的上游侧并且平行于保持表面延伸；所述第一、第二和第三气流道沿着所述气流道的高度方向依次排列，使得所述第一气流道位于最上面、所述第二和第三气流道(11b，11c)之间的边界终止于位于所述第一和第二气流道(11a，11b)之间的边界终止的位置(A2)的上游的位置(A1)，并且所述第一气流道用于引入吹扫气体，所述第二和第三气流道用于引入含有构成氮化物半导体层的元素的气体。