一种合成Ti₃SiC₂高纯粉体的方法

摘要

本发明涉及一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法，它包括如下步骤：1)配料：以Ti粉、SiC粉和TiC粉为原料，Al粉为合成促进剂，按Ti∶SiC∶TiC∶Al=(4-4.1)∶(2-2.1)∶(1-1.1)∶(0.2-0.3)的摩尔比选取Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉；将Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉混合，得到混合料；2)将所述混合料进行湿磨、过筛、清洗后得到混合悬浊溶液；3)将所述混合悬浊溶液静置，倒去上层清液后真空干燥，得到预处理好的混合粉末；4)将所述预处理好的混合粉末置于真空炉中，以15-20℃/分钟的升温速率将炉温升到1250-1300℃，在真空度为1×10-3-1×10-2Pa条件下处理，保温时间1-2小时，待炉温降到室温后，即制备出Ti3SiC2高纯粉体。本发明合成的Ti3SiC2粉末纯度高、无需提纯处理、工序大大简化、工艺参数稳定、成本低、晶粒发育完整，非常适用于大规模化生产。

主权项

一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：以Ti粉、SiC粉和TiC粉为原料，Al粉为合成促进剂，按Ti：SiC：TiC：Al=(4‑4.1)：(2‑2.1)：(1‑1.1)：(0.2‑0.3)的摩尔比选取Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉；将Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉混合，得到混合料；2)将所述混合料进行湿磨、过筛、清洗后得到混合悬浊溶液；3)将所述混合悬浊溶液静置，倒去上层清液后真空干燥，得到预处理好的混合粉末；4)将所述预处理好的混合粉末置于真空炉中，以15‑20℃/分钟的升温速率将炉温升到1250‑1300℃，在真空度为1×10‑3‑1×10‑2Pa条件下处理，保温时间1‑2小时，待炉温降到室温后，即制备出Ti3SiC2 高纯粉体。