双频射频功率放大器电路芯片

摘要

本发明公开了一种双频射频功率放大器电路芯片，所述芯片中的射频功率放大器电路包括两个射频功率放大器模块及其之后各自连接的两个输出匹配网络，所述两个输出匹配网络的输出都连接到一个高隔离射频开关，所述高隔离射频开关接通或断开选定的输出匹配网络，将该输出匹配网络的输出作为芯片的输出，所述两个射频功率放大器电路的输出级在芯片上采用并行同向布局，即所述输出级的三极管呈多条平行的条状结构排列，并且芯片上两个输出级的输出方向相同且平行。本发明中两个频段的射频功率放大器电路最后一级，即功率输出级的射频放大管采用并行同向布局，既减小双频功率放大器芯片的面积，节约了成本，又降低了两个频段之间的射频干扰。

主权项

一种双频射频功率放大器电路芯片，所述芯片中的射频功率放大器电路包括两个射频功率放大器模块及其之后各自连接的两个输出匹配网络，其特征在于，所述两个输出匹配网络的输出都连接到一个高隔离射频开关，所述高隔离射频开关接通或断开选定的输出匹配网络，将该输出匹配网络的输出作为芯片的输出，之后连接到射频天线，还包括CMOS控制器，为射频功率放大器电路提供控制信号，所述两个射频功率放大器电路的输出级在芯片上采用并行同向布局，即所述输出级的三极管呈多条平行的条状结构排列，并且芯片上两个输出级的输出方向相同且平行；所述高隔离射频开关包括4个场效应管，所述4个场效应管都是源极和漏极连接在电路中，而栅极作为控制端用来控制每个场效应管的通断，其中第一场效应管和第三场效应管串联在第二输出匹配网络与芯片输出端之间，第二场效应管与一个电容(C7)串联在第一场效应管与第三场效应管连接的节点与地之间；第四场效应管串联连接在第一输出匹配网络与芯片输出端之间；第一场效应管与第二输出匹配网络之间、第四场效应管与第一输出匹配网络之间、以及芯片输出端与射频天线之间各串联有一个电容。