使用清洁溶液清洁半导体晶片的方法

摘要

本发明涉及一种使用包含初始组成的铵碱性组分的清洁溶液清洁半导体晶片的方法，其中使所述半导体晶片以单晶片处理与清洁溶液接触，在清洁的过程中加入了氟化氢，以作为所述清洁溶液的其它组分，并且所述清洁溶液在清洁结束时具有不同于初始组成的组成。

主权项

一种使用包含初始组成的铵碱性组分的清洁溶液清洁半导体晶片的方法，在该初始组成中氟化氢、臭氧和过氧化氢的摩尔浓度为零，其中使所述半导体晶片以单晶片处理与所述清洁溶液接触，在清洁的过程中加入氟化氢作为所述清洁溶液的其它组分，且氟化氢的浓度进一步增加，并且所述清洁溶液在清洁结束时具有不同于初始组成的组成，其中在清洁结束时臭氧或过氧化氢的摩尔浓度保持为零。