| 发明名称 | 纳米图案形成方法，其中所使用的固化抗蚀剂膜和包含该抗蚀剂膜的制品 | ||
| 摘要 | 纳米图案形成方法，其包括步骤：提供抗蚀剂膜(12)和在抗蚀剂膜(12)上形成图案。抗蚀剂膜(12)包括具有至少两个乙烯基的有机硅氧烷化合物、不同于该有机硅氧烷化合物的有机硅氧烷交联剂、催化剂和催化剂抑制剂。固化的抗蚀剂膜(12)包括含有至少两个乙烯基的有机硅氧烷化合物和不同于该有机硅氧烷化合物的有机硅氧烷交联剂在所述催化剂和催化剂抑制剂存在下的反应产物。制品(10)包括基底(14)，并且固化抗蚀剂膜(12)被布置在基底(14)上。由于在抗蚀剂膜(12)中存在催化剂抑制剂，抗蚀剂膜(12)可以在室温下被操作数小时而不会固化。同时，抗蚀剂膜(12)在具有商业价值的足够短的时间期间内固化。 | ||
| 申请公布号 | CN101223476B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200580051088.9 | 申请日期 | 2005.11.30 |
| 申请人 | 道康宁公司;密歇根大学董事会 | 发明人 | P·傅;L·J·郭 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/075(2006.01)I;C09D183/04(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;路小龙 |
| 主权项 | 纳米图案形成方法，其包括步骤：提供抗蚀剂膜(12)，该抗蚀剂膜包括：含有至少两个乙烯基基团的有机硅氧烷化合物，并且所述有机硅氧烷化合物具有不大于10,000道尔顿的数均分子量，不同于所述有机硅氧烷化合物的有机硅氧烷交联剂，以2至500ppm的量存在的催化剂，和催化剂抑制剂；以及在所述抗蚀剂膜(12)中形成图案；和在20‑150℃的温度下和不超过14巴的压力下，将所述抗蚀剂膜(12)固化不超过五分钟的时间，以形成固化抗蚀剂膜(12)。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||