发明名称 |
一种测定碳化硅中二氧化硅的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种测定碳化硅中二氧化硅的方法,属于冶金化工领域。该方法控制一定温度,使氢氟酸只溶解碳化硅中二氧化硅,利用电感耦合等离子体发射光谱仪的耐氢氟酸系统对碳化硅中二氧化硅含量进行测定。利用本发明可以准确的测量出碳化硅中二氧化硅的含量,其测定范围可以达到0.005%~20%。 |
申请公布号 |
CN102243177A |
申请公布日期 |
2011.11.16 |
申请号 |
CN201110098860.X |
申请日期 |
2011.04.20 |
申请人 |
武汉钢铁(集团)公司 |
发明人 |
闻向东;邵梅;张穗忠;谢芬;夏念平;朱缨;周少云;张前香;魏继红;赵希文 |
分类号 |
G01N21/73(2006.01)I;G01N1/34(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/73(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
周发军 |
主权项 |
一种测定碳化硅中二氧化硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将待测试样放入到铂金坩埚中,置于700℃~750℃高温炉中开启炉门,烧炭0.5~1h,冷却后全部转移至塑料杯中,加入氢氟酸,氢氟酸的加入体积毫升量是待测试样质量克数的50~200倍,在95℃~105℃下加热溶解30min~60 min至待测试样溶液中的二氧化硅全部溶解,溶解时待测试样溶液不能蒸发干,将待测试样溶液定容至塑料容量瓶中;2)利用电感耦合等离子发射光谱仪上的耐氢氟酸系统对待测试样溶液进行测量;3)利用电感耦合等离子发射光谱仪测量校准曲线的溶液和待测试样溶液中硅的光谱强度,再由计算机自动回归出校准曲线,从而计算得出待测试样中二氧化硅的含量。
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地址 |
430080 湖北省武汉市友谊大道999号 |