| 发明名称 |
Ⅲ族氮化物化合物半导体层积构造体之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI352436 |
申请公布日期 |
2011.11.11 |
| 申请号 |
TW096116525 |
申请日期 |
2007.05.09 |
| 申请人 |
昭和電工股份有限公司 日本 |
发明人 |
三木久幸;酒井浩光;塙健三;横山泰典;佐佐木保正;加治亘章 |
| 分类号 |
H01L33/00;C23C14/06;C23C14/34;C23C16/02;C23C16/34;H01L21/203;H01L21/205 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种III族氮化物化合物半导体层积构造体之制造方法，其特征为：于400℃~800℃之温度之基板上，藉由电浆将III族金属原料与含氮元素的气体活性化且使其反应，成膜含有(0002)面之X线回摆曲线测定之半值宽度为0.5度以下，由平面方向视之、成为六角形为基调之剖面形状之柱状结晶，该柱状结晶之密度为1×103个/μm2~1×105个/μm2之III族氮化物化合物半导体所成第一层后，成膜邻接于该第一层之III族氮化物化合物半导体所成第二层者。 |
| 地址 |
日本 |
