结势垒肖特基二极管

摘要

一种结势垒肖特基二极管具有：一N型井，具有一表面及一第一杂质浓度；一P型阳极区，位在该井之表面内并具有一第二杂质浓度；以及一N型阴极区，位在该井之表面内并水平紧靠该阳极区，且具有一第三杂质浓度。一第一N型区垂直紧靠该阳极区及该阴极区，并具有一第四杂质浓度。一欧姆接触系形成达至该阳极，且一肖特基接触系形成达至该阴极。该第四杂质浓度系小于该第一、第二及第三杂质浓度。一双硅化物结构也被纳入。

主权项

一种集成电路中的结势垒肖特基二极管，该二极管包括：一N型井，位于P型基板中并具有一表面及第一杂质浓度；一P型阳极区，位于该井之表面内并具有一底面，且具有一第二杂质浓度；一N型阴极区，位于该井之表面内、水平紧靠该阳极区并具有一底面，且具有一第三杂质浓度；一第一N型区，垂直紧靠该阳极区及该阴极区的底面，并具有位于该阳极区的底面处的一第四杂质浓度；一埋入N型区，位于该N型井之内并具有一第五杂质浓度；一通达至该阳极区的欧姆接触，一通达至该阴极区之肖特基接触，及一从该表面通达至该埋入区之接触；以及该位于该阳极区的底面处的第四杂质浓度系小于该第一、第二、第三及第五杂质浓度。