| 发明名称 | 膜堆叠和垂直磁记录盘 | ||
| 摘要 | 本发明涉及膜堆叠和垂直磁记录盘。硅/金(Si/Au)双层籽结构位于膜堆叠中非晶或晶体下层与具有良好定义的晶体结构的上层之间。该籽结构包括在下层的基本平坦表面上的Si层和该Si层上的Au层。Si/Au界面开始Au层的生长，该Au层具有fcc晶体结构且(111)面在层平面中取向。生长在Au层上的上层具有fcc或hcp晶体结构。如果上层是fcc材料则其[111]方向基本垂直于Au层的(111)面取向；如果上层是hcp材料则其c轴基本垂直于Au层的(111)面取向。 | ||
| 申请公布号 | CN102237098A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201110038767.X | 申请日期 | 2011.02.16 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 奥拉夫.赫尔维格;迪特尔.K.韦勒 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 冯玉清 |
| 主权项 | 一种膜堆叠，包括：具有表面的衬底；双层籽结构，包括位于所述表面上并与所述表面接触的实质上由Si构成的层以及位于所述Si层上且与所述Si层接触的Au层，所述Au层具有(111)面基本平行于所述Au层的平面的基本fcc晶体结构；以及位于所述Au层上的上层。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||