| 发明名称 | 操作半导体存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种操作半导体存储器件的方法，包括：选择多个字线中的一个；将从第三电平逐渐下降至第一电平的编程电压施加至所选择的字线；并且每当改变编程电压的电平时将位线放电。 | ||
| 申请公布号 | CN102237137A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201110026652.9 | 申请日期 | 2011.01.25 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李珉圭 |
| 分类号 | G11C16/24(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种操作半导体存储器件的方法，包括：选择多个字线中的一个；将从第三电平逐渐下降至第一电平的编程电压施加至所选择的字线；并且每当改变所述编程电压的电平时将位线放电。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||