| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：形成多层；刻蚀衬底的一部分和多层来形成多个图案；形成支撑件来支撑多个图案；以及去除在刻蚀期间形成的残留物。 | ||
| 申请公布号 | CN102237264A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN201010524802.4 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金奎显;洪权;董且德 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成多层；刻蚀所述衬底的一部分和所述多层来形成多个图案；形成支撑件来支撑所述多个图案；以及去除在所述刻蚀期间形成的残留物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||