| 发明名称 | 金属-绝缘体-半导体隧穿接触 | ||
| 摘要 | 一种到源极区或漏极区的接触。所述接触具有导电材料，但是该导电材料通过绝缘体与所述源极区或者漏极区分隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN102239546A | 申请公布日期 | 2011.11.09 |
| 申请号 | CN200980139236.0 | 申请日期 | 2009.12.07 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | N·慕克吉;G·杜威;M·V·梅茨;J·卡瓦列罗斯;R·S·周 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;夏青 |
| 主权项 | 一种器件，包括：具有源极区和漏极区的晶体管；与所述晶体管相邻的第一层间电介质层；穿过所述第一层间电介质层到达所述源极区的沟槽；以及所述沟槽中的导电源极接触，所述源极接触通过绝缘层与所述源极区分隔开。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||