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<p>본 발명의 반도체 소자의 형성 방법은 소자분리영역과 필드영역이 정의된 실리콘 기판에 웰 영역을 형성하고 게이트를 형성하는 단계와, 상기 게이트가 형성된 실리콘 기판 내에 제1차 이온주입을 실시하여 불순물 영역을 형성하는 단계와, 게이트 스페이서를 형성한 후, 실리사이드 형성 물질을 증착하는 단계와, 상기 실리사이드 형성물질을 제 1차 및 2차 열처리하여 실리사이드층을 형성하는 단계와, 상기 실리사이드층이 형성된 결과물 상에 질화막을 증착한 후 제 2차 이온주입 및 제 3차 열처리를 진행하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.</p> |
