Verringerung der Kontamination in einem Prozessablauf zur Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung in einem Halbleiterbauelement

摘要

In komplexen Anwendungen zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεin einer frühen Fertigungsphase wird eine schwellwerteinstellende Halbleiterlegierung auf der Grundlage eines selektiven epitaktischen Aufwachsprozesses abgeschieden, ohne dass die Rückseite der Substrate beeinflusst wird. Folglich können negative Auswirkungen, etwa die Kontamination von Substraten und Prozessanlagen, eine geringere Oberflächenqualität der Rückseite und dergleichen, unterdrückt oder reduziert werden, indem ein Maskenmaterial vorgesehen und dieses Material zumindest während des selektiven epitaktischen Aufwachsprozesses beibehalten wird.