Reduzierte Defektrate in Kontakten eines Halbleiterbauelements, das Austauschgateelektrodenstrukturen unter Anwendung einer Zwischendeckschicht aufweist

摘要

Verbesserte Kontaktelemente werden in Halbleiterbauelementen hergestellt, in denen komplexe Austauschgateverfahren angewendet werden. Dazu wird eine dielektrische Deckschicht vor dem Strukturieren des dielektrischen Zwischenschichtmaterials vorgesehen, so dass zuvor erzeugte Risse zuverlässig versiegelt werden, bevor das Kontaktmaterial abgeschieden wird, wobei das Entfernen eines überschüssigen Anteils des Kontaktmaterials ohne eine unerwünschte Wechselwirkung mit dem Elektrodenmetall der Gateelektrodenstruktur erfolgt. Folglich kann eine geringere Defektrate erreicht werden.