半导体发光装置

摘要

在基板的一面形成发光层并在形成有发光层的同一侧形成了n侧电极和p侧电极的半导体发光装置中，需要让半导体发光元件发出的热朝次载具散发。但是，存在下述问题，即：要按照电极的大小及形状多种多样的半导体发光元件依次制作并管理兼具散热功能的连接部件是非常繁琐的。为了解决该问题，本发明公开了一种半导体发光装置。在该半导体发光装置中，使n侧电极附近的p侧凸块的形成密度提高。其结果是，在半导体发光元件和次载具之间n侧电极附近的导热面积增加，使得散热效果提高。

主权项

一种半导体发光装置，具有：次载具，在一面形成有p侧引出电极和n侧引出电极，p侧连接部件及n侧连接部件，该p侧连接部件形成在所述p侧引出电极的上表面上，该n侧连接部件形成在所述n侧引出电极的上表面上，以及半导体发光元件，在一面具有发光层，而且在所述发光层的一面上具有经由所述p侧连接部件与所述p侧引出电极电连接的p侧电极，在该发光层的所述一面具有经由所述n侧连接部件与所述n侧引出电极电连接的n侧电极，其特征在于：具有多个所述p侧连接部件，所述发光层的所述一面由距所述n侧电极在规定距离以内的第一区域和第一区域以外的第二区域构成，所述规定距离是使该第一区域的面积成为该第二区域的面积的1/3的距离，所述第一区域中的所述p侧连接部件的底面积总和x大于所述第二区域中的所述p侧连接部件的底面积总和y的1/3，所述p侧连接部件是多个凸块。