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<p>반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 소자의 제조방법은 셀 영역 및 주변 영역을 갖는 기판의 상기 셀 영역 상에 캐패시터와 희생막을 적층하는 단계와, 상기 셀 영역 및 상기 주변 영역 상에 제 1 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 희생막을 배리어로 연마 공정을 수행하여 상기 캐패시터 및 상기 희생막 상에 형성된 디펙트를 제거하고 상기 주변 영역의 상기 제 1 층간절연막을 평탄화시키는 단계와, 상기 희생막을 제거하는 단계와, 상기 셀 영역 및 상기 주변 영역 상에 제 2 층간절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 캐패시터 상에 희생막을 형성하고 희생막을 배리어로 연마 공정을 수행하여 디펙트를 제거하므로, 디펙트로 인하여 유발되는 DC 폐일이 방지되는 효과가 있다.</p> |
