非易失性半导体存储装置和其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的条纹形状的第一配线；在所述第一配线上形成的第一层间绝缘层；在所述第一配线上的所述第一层间绝缘层形成的第一存储器单元孔；经由所述第一存储器单元孔与所述第一配线连接的第一电阻变化层；在所述第一电阻变化层上形成的第一非欧姆性元件；在所述第一层间绝缘层上形成并且与所述第一配线正交，具有条纹形状的第二配线；在所述第二配线上形成的第二层间绝缘层；和在所述第二层间绝缘层上形成的上层配线，其中所述第二配线由包含所述第一非欧姆性元件的至少一部分的多层构成，在所述第二配线的最上层具有导电层，并且在所述第二配线的最下层具有作为所述非欧姆性元件的一部分的半导体层或绝缘体层，所述第一配线通过以贯通所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的方式形成的第一接触部，与所述上层配线连接，所述第二配线的最上层通过以贯通所述第二层间绝缘层的方式形成的第二接触孔，与所述上层配线连接。