| 发明名称 | 非易失性存储元件、非易失性存储装置、以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。 | ||
| 申请公布号 | CN101395716B | 申请公布日期 | 2011.11.02 |
| 申请号 | CN200780007376.3 | 申请日期 | 2007.03.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川岛良男;高木刚;三河巧;魏志强 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：下部电极层；在所述下部电极层的上方形成的上部电极层；和在所述下部电极层与所述上部电极层之间形成的金属氧化物薄膜层，所述金属氧化物薄膜层包括：通过在所述下部电极层与所述上部电极层之间施加电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域；和配置在所述第一区域的周边并且氧含有量比所述第一区域多的第二区域，所述下部电极层和所述上部电极层与所述第一区域的至少一部分以从所述第一区域的厚度方向看重叠的方式配置，所述第一区域和所述第二区域由相同的元素构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||