半导体衬底的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体衬底的制造方法，可以高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。

主权项

一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成氧化硅膜和氮化硅膜；在照射氢和稀有气体元素中的至少一种的离子之后，形成多个分离层和在所述多个分离层上的多个单晶半导体层，其中，所述多个分离层形成在所述单晶半导体衬底的离其表面有一定深度的位置上；将具有绝缘表面的衬底及所述单晶半导体衬底彼此接合；以及将所述单晶半导体衬底和所述多个单晶半导体层彼此分离，来在所述衬底的所述绝缘表面上设置所述多个单晶半导体层。