| 摘要 |
<p>본 발명은 GIDL(Gate Induced Drain Leakage) 현상 없이 DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering) 현상을 개선하여 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 반도체 소자는, 반도체 기판 상에 형성된 메인 게이트와, 상기 메인 게이트 양측의 반도체 기판 표면 내에 각각 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 인접한 메인 게이트 부분 내에 형성된 내부 게이트를 포함한다.</p> |
