| 主权项 |
一种脉冲式高压矽量子点萤光灯之制备方法，其至少包括下列步骤：(A)选择一第一基板；(B)利用一电子枪蒸镀(E-gun Evaporation)系统或一溅射(Sputtering)系统在该第一基板上先后被覆一钛金属薄膜之缓冲层及一镍、铝或白金金属薄膜之催化层，接着利用一化学气相薄膜沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制程，在该催化层上生成一奈米碳管或一矽奈米线，藉此以组成一激发源，作为发光元件之阴极组件；(C)选择一第二基板；(D)利用该化学气相薄膜沉积法，于该第二基板上合成一矽量子点萤光薄膜，藉此以组成一发射源，作为该发光元件之阳极组件；以及(E)将该阴极组件中具尖端放电特性之奈米碳管或矽奈米线，藉由一脉冲式高压源产生一脉冲式场效电子源，进而激发该矽量子点萤光薄膜，以获得一脉冲式可见光源。 |
