发明名称 光阻材料
摘要
申请公布号 TWI351582 申请公布日期 2011.11.01
申请号 TW096114844 申请日期 2007.04.26
申请人 台灣積體電路製造股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 发明人 张庆裕;邱志诚
分类号 G03F7/039;G03F7/004;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种使用于一半导体基材之微影程序中之光阻材料,包含:一光阻聚合物,用以经由与一酸性物产生反应,转变为具有可溶于一硷性溶液之特性;一光酸产生剂,用以于一光学曝光程序之下产生反应并释放出该酸性物;以及一可交换式聚合物,具有一结构使其在一烘烤制程中可由该光阻聚合物分离,并向该光阻聚合物之一表面扩散,而让该光阻聚合物之该表面在一显影溶液或一浸没液体中变得更具亲水性;其中该可交换式聚合物包含一硷性可溶聚合物系用以与一硷性显影溶液产生反应,而转变为具有水溶性。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号