| 发明名称 |
表面具有金属保护层之内嵌半导体晶片承载结构及其制法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI351743 |
申请公布日期 |
2011.11.01 |
| 申请号 |
TW096108132 |
申请日期 |
2007.03.09 |
| 申请人 |
欣興電子股份有限公司 桃園縣桃園市龜山工業區興邦路38號 |
发明人 |
翁林莹;赖肇国 |
| 分类号 |
H01L23/29 |
主分类号 |
H01L23/29 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
一种表面具有金属保护层之内嵌半导体晶片承载结构，系包括：内嵌有半导体晶片承载结构；金属层，系电镀形成于该内嵌有半导体晶片承载结构之底面及侧表面；以及导电层，系形成于该内嵌有半导体晶片承载结构与金属层之间，该金属层及导电层中形成有一开孔以露出该半导体晶片之非主动面。 |
| 地址 |
桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号 |
