| 摘要 |
<p>본 발명은 핀 패턴 높이의 균일성을 개선하여 트랜지스터 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 반도체 소자는, 반도체 기판 내에 형성되어 활성 영역을 정의하는 소자분리막과, 상기 활성 영역에서의 게이트 형성 영역 측면이 노출되도록, 상기 활성 영역에서의 게이트 형성 영역을 제외한 나머지 부분의 측벽에 형성된 스페이서 및 상기 노출된 활성 영역에서의 게이트 형성 영역을 감싸도록 형성된 게이트를 포함한다.</p> |
