| 摘要 |
<p>반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 소자의 제조방법은 소자분리막에 의해 정해진 액티브 영역을 갖는 기판 상에 패드 절연막을 형성하는 단계와, 상기 패드 절연막 및 상기 기판에 리세스를 형성하는 단계와, 상기 리세스에 게이트 전극막을 형성하는 단계와, 상기 패드 절연막을 제거하여 상기 게이트 전극막을 돌출시키는 단계와, 상기 게이트 전극막의 돌출된 측면에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극막을 식각하여 상기 리세스 하부에 상기 게이트 전극막이 남도록 하는 단계와, 상기 게이트 전극막 및 상기 스페이서를 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극막 양측 상기 액티브 영역 상부의 상기 층간절연막을 상기 스페이서에 자기정렬적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 매립하여 콘택 플러그를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 콘택 플러그가 매립 게이트 양측 액티브 영역의 에지 상에 형성된 스페이서에 자기정렬콘택(Self Aligned Contact, SAC) 방식으로 형성되므로, 매립 게이트와 콘택 플러그가 숏트(short)되는 불량이 방지된다.</p> |
