Organic-Inorganic Hybrid Nondestructive read out thin film transistor-random access memory and method of producing the same
摘要
<p>본 발명은 1T형 강유전체 메모리로서, 소스/드레인 전극이 형성된 산화물 반도체와, 상기 산화물 반도체 상에 형성되는 무기물 중간체와, 상기 무기물 중간체 상에 형성되는 유기 강유전체, 및 게이트 전극을 포함하여 메모리 성능이 뛰어나고 저전압에서 구동 가능한 유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 제조방법을 제공한다.</p>
